パルスレーザーダイオード 905nm 高速ドライバー（QS）内蔵タイプ
パルスレーザーダイオード 905nm 高速ドライバー（QS）内蔵タイプ
| チップモデル | 最大電力 | 発光サイズ | スペクトル線幅 | 発散角 | 高圧 | パルス幅 | パッケージ型式 | カプセル化 | ピン数 | 窓 | 使用温度範囲 |
| 905D1S3J03 | 72W 80V | 10×85μm | 8nm | 20×12° | 15～80V | 2.4ns/21℃、40nsトリガー、10kHz、65V | TO | TO-56 | 5 | - | -40～100℃ |
特徴
▪ ハーメチック TO-56 パッケージ (5 ピン)
▪ 905nm 三重接合レーザー ダイオード、3 ミル、6 ミル、9 ミルのストライプ
▪ 典型的な 2.5 ns のパルス幅により、高分解能測距アプリケーションが可能になります
▪ 低電圧充電ストレージ: 15 V ～ 80 V DC
▪ パルス周波数: 最大 200 KHz
▪ 評価ボードが利用可能
▪ 量産可能
アプリケーション
▪ 消費者向けの高解像度距離測定
▪ レーザースキャン/LIDAR
▪ ドローン
▪ 光学トリガー
▪ 自動車
▪ ロボット工学
▪ 軍事
▪ 産業用
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