チップモデル | ピークパワー | 明るいサイズ | スペクトル線幅 | 発散角 | 高圧 | パルス幅 | パッケージタイプ | カプセル化 | ピンの数 | ウィンドウ | 作業温度の範囲 |
905D1S3J03 | 72W 80V | 10×85μm | 8 nm | 20×12° | 15〜80V | 2.4 ns/21℃、40nsトリグ、10kHz、65V | TO | to-56 | 5 | - | -40〜100℃ |
特徴
▪エルメティックトゥ-56パッケージ(5ピン)
▪905NMトリプルジャンクションレーザーダイオード、3ミル、6ミル&9ミルストライプ
▪典型的な2.5 nsのパルス幅は、高解像度の範囲のアプリケーションを有効にします
▪低電圧電荷ストレージ:15 V〜80 V DC
▪パルス周波数:最大200 kHz
▪評価ボードが利用可能
▪大量生産に利用できます
アプリケーション
▪消費者の高解像度範囲の発見
▪レーザースキャン /ライダー
▪ドローン
▪光トリガー
▪自動車
▪ロボット工学
▪軍事
▪産業